شركة Kioxia تطور تكنولوجيا أساسية ستتيح التطبيق العملي لذاكرة 3D DRAM عالية الكثافة ومنخفضة الاستهلاك للطاقة

(BUSINESS WIRE)-- أعلنت اليوم شركة Kioxia Corporation، الرائدة عالميًا في حلول الذاكرة، عن تطوير الترانزستورات ذات القنوات المصنوعة من أشباه الموصلات الأكسيدية والقابلة للتكديس بدرجة عالية، والتي ستيسر سبل التطبيق العملي لذاكرة 3D DRAM عالية الكثافة ومنخفضة الاستهلاك للطاقة. وقد تم عرض هذه التكنولوجيا في الاجتماع الدولي لأجهزة الإلكترونيات (IEDM) التابع لمعهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات (IEEE)، الذي أقيم في سان فرانسيسكو، بالولايات المتحدة الأمريكية، في 10 ديسمبر، مع تسليط الضوء على قدرتها على تقليل استهلاك الطاقة في مجموعة واسعة من التطبيقات، بما في ذلك خوادم الذكاء الاصطناعي ومكونات إنترنت الأشياء (IoT).

يزداد الطلب في عصر الذكاء الاصطناعي على ذاكرة DRAM عالية السعة ومنخفضة الاستهلاك للطاقة، القادرة على معالجة كميات كبيرة من البيانات. وتجدر هنا الإشارة إلى أنَّ تكنولوجيا DRAM التقليدية تقترب من بلوغ الحدود الفيزيائية لتصغير حجم خلايا الذاكرة، ما دفع الباحثين إلى إجراء أبحاث عن آليات تكديس خلايا الذاكرة ثلاثي الأبعاد لتوفير سعات إضافية. ثم إنَّ استخدام السيليكون أحادي البلورة كمادة لصنع قنوات الترانزستورات داخل خلايا الذاكرة المكدسة، كما هو الحال في DRAM التقليدية، يؤدي إلى ارتفاع تكاليف التصنيع، وزيادة الطاقة المطلوبة لتحديث خلايا الذاكرة بشكل متناسب مع سعة الذاكرة.

في إطار فعاليات الاجتماع الدولي لأجهزة الإلكترونيات (IEDM)، أعلنا عن تطوير تكنولوجيا ذاكرة DRAM باستخدام ترانزستورات ذات قنوات مصنوعة من أشباه الموصلات الأكسيدية (OCTRAM)، والتي تستخدم ترانزستورات رأسية مصنوعة من أشباه الموصلات الأكسيدية، وفي عرضنا التقديمي هذا العام، استعرضنا تكنولوجيا الترانزستورات ذات القنوات المصنوعة من أشباه الموصلات الأكسيدية والقابلة للتكديس بدرجة عالية، والتي تتيح التكديس الثلاثي الأبعاد لذاكرة OCTRAM، كما تحققنا من عمل الترانزستورات المكدسة في ثماني طبقات.

تعتمد هذه التكنولوجيا الجديدة على تكديس طبقات من أفلام أكسيد السيليكون ونيتريد السيليكون الجاهزة للاستخدام، واستبدال منطقة نيتريد السيليكون بأشباه موصلات أكسيدية (InGaZnO)، لتشكيل طبقات رأسية من الترانزستورات المكدسة أفقيًا في الوقت نفسه، وقد قدمنا أيضًا هيكل خلية ذاكرة ثلاثي الأبعاد مبتكرًا قادرًا على تعديل المسافة الرأسية بين الطبقات. ومن المتوقع أن تساعد عمليات التصنيع وهذه الهياكل الجديدة على مواجهة التحديات المتعلقة بتكاليف تنفيذ آليات التكديس الثلاثي الأبعاد لخلايا الذاكرة.

بالإضافة إلى ذلك، من المتوقع أن تنخفض الطاقة المطلوبة للتحديث بفضل خصائص التيار المنخفض في وضع الإيقاف لأشباه الموصلات الأكسيدية. ولقد أظهرنا قدرة الترانزستورات الأفقية التي تم تكوينها عبر عملية الاستبدال على تحقيق تيار تشغيل مرتفع (أكثر من 30 ميكرو أمبير) وتيار إيقاف منخفض للغاية (أقل من 1 أتو أمبير، 10^-18 أمبير). علاوة على ذلك، نجحنا في تصنيع مجموعة مكونة من ثماني طبقات من الترانزستورات الأفقية، وأكدنا التشغيل الناجح للترانزستورات داخل ذلك الهيكل.

سنواصل نحن في شركة Kioxia Corporation إجراء الأبحاث وتطوير هذه التكنولوجيا من أجل تيسير سبل نشر ذاكرة 3D DRAM في الاستخدامات العملية الواقعية.

* تم إعداد هذا الإعلان لتقديم معلومات عن أعمالنا، ولكنه لا يشكل أو يعد جزءًا من عرض أو دعوة للبيع أو تحفيزًا على تقديم عرض شراء أو الاكتتاب أو الاستحواذ بأي شكل آخر على أي أوراق مالية في أي ولاية قضائية، كما لا يعد حافزًا للمشاركة في نشاط استثماري ولا يشكل أساسًا أو يعتمد عليه في أي عقد ذي صلة.

* إن المعلومات الواردة في هذا المستند، بما في ذلك أسعار المنتجات ومواصفاتها ومحتوى الخدمات وبيانات الاتصال، صحيحة اعتبارًا من تاريخ الإعلان، ولكنها عرضة للتغيير بدون إشعار مسبق.

نبذة عن Kioxia

تعد Kioxia شركة رائدة عالميًا في حلول الذاكرة متخصصة في تطوير الذاكرة الوميضية ومحركات الأقراص ذات الحالة الصلبة (SSDs). وفي أبريل 2017، انفصلت شركة Toshiba Memory (الاسم السابق للشركة) عن شركة Toshiba Corporation التي اخترعت ذاكرة NAND الوميضية في عام 1987. إضافةً إلى ذلك، تلتزم شركة Kioxia بإحداث تغيير ملحوظ في العالم تاركةً أثرًا إيجابيًا في المجتمع بالاستعانة بتكنولوجيا "الذاكرة"، إذ تقدم منتجات وخدمات وأنظمة متقدمة تتيح للعملاء خيارات متنوعة. هذا، وتسهم تكنولوجيا الذاكرة الوميضية الثلاثية الأبعاد BiCS FLASH™‎ من Kioxia في تشكيل مستقبل حلول التخزين في التطبيقات العالية الكثافة، بما في ذلك الهواتف الذكية المتقدمة، وأجهزة الحاسوب، وأنظمة السيارات، ومراكز البيانات، وأنظمة الذكاء الاصطناعي التوليدي.

إن نص اللغة الأصلية لهذا البيان هو النسخة الرسمية المعتمدة. أما الترجمة فقد قدمت للمساعدة فقط، ويجب الرجوع لنص اللغة الأصلية الذي يمثل النسخة الوحيدة ذات التأثير القانوني.