شركة Kioxia ستكشف عن تقنيات الذاكرة الناشئة في مؤتمر IEDM 2024

(BUSINESS WIRE)-- أعلنت اليوم شركة Kioxia Corporation الرائدة عالميًا في حلول الذاكرة، عن قبول عرض أوراقها البحثية في مؤتمر الأجهزة الإلكترونية (IEDM) الدولي الذي ينظمه IEEE لعام 2024، وهو مؤتمر دولي مرموق تجري فعالياته في سان فرانسيسكو بالولايات المتحدة الأمريكية في الفترة من 7 إلى 11 من ديسمبر.

تلتزم شركة Kioxia بالبحث والتطوير في مجال ذاكرة أشباه الموصلات، وهي خطوة لا غنى عنها لإحداث تقدم في مجال الذكاء الاصطناعي والتحول الرقمي للمجتمع. فإلى جانب تكنولوجيا الذاكرة الوميضية الثلاثية الأبعاد المتطورة BiCS FLASH™‎، تظهر شركة Kioxia تفوقًا في أبحاثها المتعلقة بحلول الذاكرة الناشئة. إضافةً إلى ذلك، تسعى الشركة باستمرار لتلبية الاحتياجات التي تفرضها أنظمة الحوسبة والتخزين المستقبلية عن طريق تطوير منتجات الذاكرة المبتكرة.

تعتمد أنظمة الحوسبة الحالية على ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM)، وهي جهاز ذاكرة أساسي يمكّن وحدة المعالجة المركزية (CPU) من معالجة البيانات بسرعة، هذا إلى جانب الذاكرة الوميضية التي يمكنها تخزين كميات كبيرة من البيانات. وتجدر هنا الإشارة إلى أن شركة Kioxia تتصدر المشهد على صعيد الأبحاث وأعمال التطوير المتعلقة بذاكرة التخزين الفئوية (SCM)، وهي حل ذاكرة يقع بين ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) والذاكرة الوميضية في التسلسل الهرمي لذاكرات أشباه الموصلات، فهي مصممة للتعامل مع كميات أكبر من البيانات مقارنة بذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) وبسرعة أعلى مقارنةً بالذاكرة الوميضية.

في مؤتمر IEDM، ستعرض شركة Kioxia أحدث التقنيات المتطورة المصممة خصوصًا لكل من طبقات ذاكرات أشباه الموصلات الثلاث التالية: (1) نوع جديد من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) يستخدم أشباه الموصلات المؤكسدة مع التركيز على تقليل استهلاك الطاقة، و(2) ذاكرة الوصول العشوائي ذات المقاومة المغناطيسية (MRAM) المناسبة للسعات الأكبر لتطبيقات ذاكرة التخزين الفئوية (SCM) و(3) بنية جديدة من الذاكرة الوميضية الثلاثية الأبعاد التي تتميز بكثافة البتات وقوة الأداء.

تقنيات الذاكرة الناشئة:

1. ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) ذات الترانزستور ذي القناة شبه الموصلة المؤكسدة (OCTRAM): شارك في تطوير هذه التقنية شركتا Nanya Technology وKioxia Corporation، فقد طورت الشركتان ترانزستور عموديًا وظيفته تعزيز تكامل الدوائر عن طريق تحسين عملية التصنيع، إذ تمكنت الشركتان من تحقيق تسرب التيار المنخفض عن طريق استغلال خصائص الترانزستور الذي يستخدم أشباه الموصلات المؤكسدة. ومن المحتمل أن يؤدي هذا الإجراء إلى تقليل استهلاك الطاقة في مجموعة كبيرة من التطبيقات، بما في ذلك الذكاء الاصطناعي وأنظمة اتصالات ما بعد الجيل الخامس ومنتجات إنترنت الأشياء.

عنوان الورقة البحثية: ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) ذات الترانزستور ذي القناة شبه الموصلة المؤكسدة (OCTRAM) المزودة ببنية 4F2 (رقم الورقة البحثية: 6-1)

2. تقنية ذاكرة الوصول العشوائي ذات المقاومة المغناطيسية (MRAM) المتعددة النقاط العالية السعة: شارك في تطوير هذه التقنية شركتا SK hynix Inc.‎ وKioxia Corporation. باستخدام هذه التقنية، تمكنت الشركتان من تحقيق عملية قراءة/كتابة بأصغر مقياس على الإطلاق بنصف تباعد الخلايا البالغ 20.5 نانومترًا لذاكرة الوصول العشوائي ذات المقاومة المغناطيسية (MRAM) عن طريق الجمع بين تقنية الخلايا التي تربط بين المحددات المناسبة للسعات الكبيرة مع الوصلات النفقية المغناطيسية، وتطبيق تقنية المعالجة الدقيقة لمصفوفات النوع المتقاطع. إضافةً إلى ذلك، تميل موثوقية الذاكرة إلى التدهور كلما تم تصغير الخلايا. هذا، وقد طورت الشركتان حلاً محتملاً مستعينتين بطريقة قراءة جديدة تستفيد من الاستجابة العابرة للمحددات وعن طريق تقليل السعة الطفيلية لدوائر القراءة. ثم إن هذه التقنية لها تطبيقات عملية على صعيد الذكاء الاصطناعي ومعالجة البيانات الضخمة.

عنوان الورقة البحثية: التشغيل الموثوق به للذاكرات مع معدل تداخل قراءة منخفض في أصغر خلية 1Selector-1MTJ في العالم لذاكرة وصول عشوائي ذات مقاومة مغناطيسية (MRAM) متعددة النقاط بسعة 64 جيجابايت (رقم الورقة البحثية: 20-1)

3. تقنية الذاكرة الثلاثية الأبعاد من الجيل التالي مع بنية التكديس الأفقي للخلايا: طورت شركة Kioxia بنية ثلاثية الأبعاد جديدة، الغرض منها تحسين مستوى الموثوقية ومنع تدهور أداء الخلايا من نوع NAND. وعادةً ما يحدث تدهور الأداء عند زيادة عدد الطبقات المكدسة في البنية التقليدية. وتجدر هنا الإشارة إلى أن البنية الجديدة تنظم الخلايا من نوع NAND أفقيًا عن طريق تكديسها مقارنةً بالبنية التقليدية التي تتبع المنهج الرأسي في ترتيب الخلايا من نوع NAND، كما تسمح هذه البنية بتطوير ذاكرة وميضية ثلاثية الأبعاد ذات كثافة بتات عالية وموثوقية فائقة بتكلفة منخفضة.

عنوان الورقة البحثية: إمكانية التوسع الفائقة للذاكرة الوميضية ذات القنوات الأفقية المتقدمة للأجيال المستقبلية من الذاكرة الوميضية الثلاثية الأبعاد (رقم الورقة البحثية: 30-1)

لمزيد من التفاصيل عن مؤتمر IEDM، الرجاء زيارة: https://www.ieee-iedm.org/

في ضوء مهمتها المتمثلة في شعار "الارتقاء بالعالم عن طريق "الذاكرة""، تهدف شركة Kioxia إلى تحقيق الريادة في عصر جديد بالاستعانة بتكنولوجيا الذاكرة وستواصل تعزيز البحث والتطوير التكنولوجي بهدف دعم مستقبل المجتمع الرقمي.

###

تم إعداد هذا الإعلان لتقديم معلومات عن أعمالنا، ولكنه لا يشكل أو يعد جزءًا من عرض أو دعوة للبيع أو تحفيزًا على تقديم عرض شراء أو الاكتتاب أو الاستحواذ بأي شكل آخر على أي أوراق مالية في أي ولاية قضائية، كما لا يعد حافزًا للمشاركة في نشاط استثماري ولا يشكل أساسًا أو يعتمد عليه في أي عقد ذي صلة.

إن المعلومات الواردة في هذا المستند، بما في ذلك أسعار المنتجات ومواصفاتها ومحتوى الخدمات وبيانات الاتصال، صحيحة اعتبارًا من تاريخ الإعلان، ولكنها عرضة للتغيير بدون إشعار مسبق.

نبذة عن Kioxia

تعد Kioxia شركة رائدة عالميًا في حلول الذاكرة متخصصة في تطوير الذاكرة الوميضية ومحركات الأقراص ذات الحالة الصلبة (SSDs). وفي أبريل 2017، انفصلت شركة Toshiba Memory (الاسم السابق للشركة) عن شركة Toshiba Corporation التي اخترعت الذاكرة الوميضية NAND في عام 1987. كما تلتزم شركة Kioxia بالارتقاء بالعالم عن طريق الذاكرة بتوفيرها منتجات وخدمات وأنظمة توفر خيارات وافرة للعملاء وخدمات قيمة قائمة على الذاكرة للمجتمع. هذا، وتعمل BiCS FLASH™‎، تقنية الذاكرة الوميضية الثلاثية الأبعاد من Kioxia، على تشكيل مستقبل التخزين في التطبيقات العالية الكثافة، بما في ذلك الهواتف الذكية المتقدمة وأجهزة الكمبيوتر ومحركات الأقراص ذات الحالة الصلبة (SSDs) والسيارات ومراكز البيانات.

إن نص اللغة الأصلية لهذا البيان هو النسخة الرسمية المعتمدة. أما الترجمة فقد قدمت للمساعدة فقط، ويجب الرجوع لنص اللغة الأصلية الذي يمثل النسخة الوحيدة ذات التأثير القانوني.

صور / وسائط متعددة متوفرة على : https://www.businesswire.com/news/home/54138512/en